Durchbruch in der Technologie Engpass-SSiC ID1mm

Materialmerkmale:

Aufgrund des spezifischen Gewichts von 3,1 g/cm3 und der relativ hohen Sublimationstemperatur (ca. 2700 °C)als Rohstoff für Lager oder Hochtemperaturöfen sehr geeignetUnter jedem Druck, der erreicht werden kann, schmilzt es nicht und es hat eine relativ geringe chemische Aktivität.und höchste Stromdichte, einige haben versucht, es als Ersatz für Silizium zu verwenden, insbesondere bei der Anwendung von Hochleistungs-Halbleitergeräten.Siliziumkarbid hat einen starken Kopplungseffekt mit Mikrowellenstrahlung, und kann aufgrund seines hohen Sublimationspunktes auf Heizmetalle angewendet werden.

Durchbruch in der Technologie Engpass

Für die Bearbeitung eines inneren Lochs mit einem Durchmesser von 1 mm(+002,-0), und Rauheit Ra0.2-0.8 auf einem solchen Material, haben unsere Techniker viele Wege versucht, bis zu einem halben Jahr lang, und schließlich gelang es, es zu machen.Unsere Techniker haben viele Möglichkeiten versucht., dauerte bis zu ein halbes Jahr, und es gelang schließlich, es zu machen.

Vor einem halben Jahr hatten unsere Techniker einen technischen Engpass bei SSiC wegen seiner Bruchbarkeit.

Erstens ist Siliziumcarbid nicht leitfähig, daher kann kein EDM-Drahtschneiden verwendet werden.

Das sind die Methoden, die wir ausprobiert haben: